Ha a vákuum ultraibolya lézer lehet összpontosítani egy kis gerenda helyszínen, akkor lehet használni, hogy tanulmányozza a szerkezet a meszes anyagok, és nano-tárgyak nagyobb pontossággal.
E cél elérése érdekében a kínai tudósok feltaláltak egy 177 nanométeres VUV lézerrendszert, amely hosszú gyújtótávolságon belül képes elérni a mikron alatti fókuszt.
A "Light Science & Applications" (LightScience&Applications) című folyóiratban publikált kutatási eredmény azt mutatja, hogy a kutatók kifejlesztettek egy 177nmVUV lézeres szkennelő fotoelektromos emissziós mikroszkóprendszert egy gömb alakú aberrációmentes szalaglemez segítségével, amely hosszú gyújtótávolságú (——45mm)<>
Összehasonlítva a DUV lézerforrás térbeli felbontás jelenleg használt ARPES, a 177nmVUV lézerforrás segíthet ARPES mérés, hogy fedezze a nagyobb lendületet helyet, és jobb energia felbontás.
A VUV lézerrendszer ultrahosszú gyújtótávolságú (-45 mm), szubmikron térfelbontással (-760nm), ultramagas energiafelbontással (-0,3meV) és ultramagas fényerőval (-355MWm-2) rendelkezik. Közvetlenül alkalmazható olyan tudományos kutatási eszközökre, mint a fotoelektromos emissziós elektronmikroszkóp (PEEM), a szögletes fotoelektronspektrométer (ARPES), a mély ultraibolya lézerEs Raman spektrométer.
Jelenleg, a rendszer feltárta a finom energia sáv jellemzői különböző új kvantum anyagok, mint például a kvázi egydimenziós topológiai szupravezető TaSe3, mágneses topológiai szigetelők (MnBi2Te4) (Bi2Te3) m család és így tovább.